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sales@mydled.com 誠(chéng)信12年導(dǎo)讀:我們想要更多了解LED顯示屏,LED柔性屏等產(chǎn)品,需要從他們的內(nèi)容深入了解,每個(gè)產(chǎn)品的核心在于芯片,而這都是所有產(chǎn)品的大腦,就跟電腦一樣,cpu是核心,沒(méi)有它,電腦將無(wú)法正常工作,因此我們首先需要了解LED顯示屏芯片的整個(gè)知識(shí)點(diǎn),為什么好的產(chǎn)品都是體現(xiàn)在芯片上的不同!下面就跟隨美亞迪小編來(lái)跟大家一起通過(guò)問(wèn)答的形式了解!
我們想要更多了解LED顯示屏,LED柔性屏等產(chǎn)品,需要從他們的內(nèi)容深入了解,每個(gè)產(chǎn)品的核心在于芯片,而這都是所有產(chǎn)品的大腦,就跟電腦一樣,cpu是核心,沒(méi)有它,電腦將無(wú)法正常工作,因此我們首先需要了解LED顯示屏芯片的整個(gè)知識(shí)點(diǎn),為什么好的產(chǎn)品都是體現(xiàn)在芯片上的不同!下面就跟隨美亞迪小編來(lái)跟大家一起通過(guò)問(wèn)答的形式了解!
LED芯片大小根據(jù)功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據(jù)客戶要求可分為單管級(jí)、數(shù)碼級(jí)、點(diǎn)陣級(jí)以及裝飾照明等類別。至于芯片的具體尺寸大小是根據(jù)不同芯片生產(chǎn)廠家的實(shí)際生產(chǎn)水平而定,沒(méi)有具體的要求。只要工藝過(guò)關(guān),芯片小可提高單位產(chǎn)出并降低成本,光電性能并不會(huì)發(fā)生根本變化。
芯片的使用電流實(shí)際上與流過(guò)芯片的電流密度有關(guān),芯片小使用電流小,芯片大使用電流大,它們的單位電流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用電流是20mA的話,那么40mil芯片理論上使用電流可提高16倍,即320mA。但考慮到散熱是大電流下的主要問(wèn)題,所以它的發(fā)光效率比小電流低。另一方面,由于面積增大,芯片的體電阻會(huì)降低,所以正向?qū)妷簳?huì)有所下降。
用于白光的LED大功率芯片一般在市場(chǎng)上可以看到的都在40mil左右,所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。由于量子效率一般小于20?大部分電能會(huì)轉(zhuǎn)換成熱能,所以大功率芯片的散熱很重要,要求芯片有較大的面積。
LED外延生產(chǎn)完成之后她的主要電性能已定型,芯片制造不對(duì)其產(chǎn)甞核本性改變,但在鍍膜、合金化過(guò)程中不恰當(dāng)?shù)臈l件會(huì)造成一些電參數(shù)的不良。比如說(shuō)合金化溫度偏低或偏高都會(huì)造成歐姆接觸不良,歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。在切割后,如果對(duì)芯片邊緣進(jìn)行一些腐蝕工藝,對(duì)改善芯片的反向漏電會(huì)有較好的幫助。這是因?yàn)橛媒饎偸拜喌镀懈詈?,芯片邊緣?huì)殘留較多的碎屑粉末,這些如果粘在LED芯片的PN結(jié)處就會(huì)造成漏電,甚至?xí)袚舸┈F(xiàn)象。另外,如果芯片表面光刻膠剝離不干凈,將會(huì)造成正面焊線難與虛焊等情況。如果是背面也會(huì)造成壓降偏高。在芯片生產(chǎn)過(guò)程中通過(guò)表面粗化、劃成倒梯形結(jié)構(gòu)等辦法可以提高光強(qiáng)。
光刻工序結(jié)束后還要通過(guò)合金化過(guò)程,合金化通常是在H2或N2的保護(hù)下進(jìn)行。合金化的時(shí)間和溫度通常是根據(jù)半導(dǎo)體材料特性與合金爐形式等因素決定。當(dāng)然若是藍(lán)綠等芯片電極工藝還要復(fù)雜,需增加鈍化膜生長(zhǎng)、等離子刻蝕工藝等。LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極,并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊,同時(shí)盡可能多地出光。
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